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MKP89_IGBT吸收电容器

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MKP89
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自感小，内部温升小。

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自感小，内部温升小。

广泛应用于高压高频脉冲电路，适合作为IGBT吸收电容。

参照标准Reference Standard

GB/T 17702，IEC 61071

气候类别Climatic Category

40/85/56

额定电压Rated Voltage

700Vdc/420Vac、900Vdc/450Vac、1000Vdc/500Vac、

1250Vdc/600Vac、1600Vdc/650Vac、2000Vdc/700Vac

工作温度范围(外壳)

 Operation Temperature Range(Case)

-40℃~105℃

(+85℃~+105℃：decreasing factor 1.25% per ℃for UNDC 85℃)

电容量Capacitance Range

0.1μF～9.0μF

电容量偏差Capacitance Tolerance

±5%(J)、±10%(K) (20℃, 1kHz)

耐电压Voltage Proof

U=1.5UNDC（20℃，10s）

绝缘电阻Insulation Resistance

CR≤0.33μF，IR≥100 000MΩ

CR＞0.33μF，IR×C≥30 000s

(20℃, 100V, 1min)

损耗角正切Dissipation Factor

1kHz：Tan δ≤0.0005

工作寿命Operation Life Time

100 000 hours at UNDC,Θmax=70℃
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MKP89B_IGBT吸收电容器 (For PCB)
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